- 12万-22万/年
- 成都
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- 1-3年
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- 硕士
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- 全职
职位诱惑: 五险一金,技术领先,成长空间大,通讯津贴,交通补助,节日礼物,免费班车
发布时间: 2017-11-13发布
职位描述
主要职责：
1、负责GaN/GaAs/SiGe/Si工艺芯片射频设计、测试工作。包括且不限于芯片测试、模块应用验证。
2、包含但不限于以下芯片设计：
2.1 X/Ku/K/Ka/W波段缺少的LNA、PA等套片；
2.2 超宽带通用LNA、PA、开关等芯片。
3、芯片测试报告编写，datasheet 编写。
任职要求：
1.电路与系统、、电磁场与微波技术、物理电子学、无线电物理等相关专业；
2.有从事过GaN、GaAs、SiGe、Si等半导体集成电路设计者优先；
3.能熟练使用集成电路设计EDA软件(ADS，Cadence等)，有建模经验者优先；
4.能独立开发以下芯片中的一种或以上：LNA、PA、VM、Mixer、Switch等，有流片经验者优先；
5.能够协助、配合完成芯片测试、模块应用验证，能熟练使用射频测试仪器；
6.具备较强的分析沟通能力、学习和创新能力，较强的团队意识；
7.良好的英文读写能力。
职位发布者
杨莉
HR
7天
简历处理用时
100%
沪公网安备31011502017136号