MOS开发工程师

职责：
1. 负责Trench MOS工艺的研发、以及同一工艺平台下的子工艺延伸；
2. 负责Trench MOS新产品的导入和开发，与客户沟通产品开发相关的技术问题；
3. 负责Trench MOS新工艺、新产品研发相关的工程流片、数据分析和总结，处理相关技术问题直至量产；
4. Trench MOS新工艺、新产品的可靠性评估等相关工作；
5. 新工艺、新产品研发相关的品质体系工作（APQP、FMEA等）。
岗位要求：
1. 微电子、半导体、物理或相关专业本科以上学历，半导体行业2年以上工作经验。在相关领域工作4年以上的，可应聘资深工程师；
2. 熟悉IC工艺流程、模组工艺、关键工艺控制点；
3. 熟练单项工艺开发、工程流片、DOE流片及数据分析；
4. 熟悉常用的半导体器件结构、版图、机理和电参数，熟练PCM参数分析；
5. 工作严谨、思路清晰，有较好的沟通能力、学习能力和团队协作能力；
6. 对熟练PDK Setup、半导体器件的可靠性考核、熟练使用研发相关工具（数据分析软件、版图布局工具、器件和工艺仿真软件）者优先考虑；
7. 有LVMOS或者HVMOS相关开发工作经验者优先。