产品研发经理
- 20万-40万/年
- 无锡
- |
- 5年以上
- |
- 硕士
- |
- 全职
职位诱惑: 五险一金,福利好,年度旅游,技术领先,成长空间大,交通补助,节日礼物
发布时间: 2023-01-31发布
职位描述
职位描述:
1、MOSFET(Trench MOSFET、SGT MOSFET、SJ MOSFET等)和IGBT(NPT、LPT、FS等)的设计与开发:负责器件结构与工艺设计,新老产品性能优化与良率提升,器件测试与可靠性考核,与FAE共同完成器件整机应用测试,完成编写产品规格书;
2、与晶圆代工厂和封装代工厂日常对接:设计制定工艺流程和测试程序,设计流片实验方案与封装实验方案,完成编写封装规格书与芯片规格书;
3、专利与论文的编写:包括但不限于器件结构、制造工艺、封装结构、产品应用等,研究与分析国内外知名半导体功率器件公司的新技术、新产品、新封装与各类应用;
4、配合销售人员完成客户端的产品推广介绍与售后服务,负责处理日常的客诉与产品失效分析报告;
5、负责政府项目申报的报告编写,配合质量人员完成质量体系的建立与完善;
6、积极配合完成部门主管与公司领导交办的各项工作。
资格要求:
1、微电子、半导体、硕士以上学历,微电子相关专业,熟悉MOSFET、IGBT、二三极管、宽禁带半导体理论基础;
2、具有5年以上的半导体功率器件设计公司或半导体晶圆代工厂TD/PIE工作经验,有产品设计与工艺整合经验;
3、熟悉电子电路与整机应用者优先;
4、熟练使用英文读写,熟练英文交流更佳;
5、能吃苦,思维清晰,善于沟通与表达,适应出差。