分立器件设计工程师

工作地点： 成都(薪资面议）
职责范围：负责Split Gate MOSFET，Super Junction MOSFET， IGBT等分离器件设计研发。
职位要求：
1.    熟悉半导体工艺，熟悉MOS/IGBT等器件原理。
2.    熟练使用SILVACO/SENTAURUS等仿真软件，熟练使用Cadence版图软件。能够熟练使用CP数据分析软件，能够操作设备进行器件测试分析。 
3.    通过TCAD仿真完成匹配代工Fab已有工艺平台下所定义的分离器件设计，并能绘制相应版图。
4.    微电子相关专业硕士毕业，或微电子相关专业本科, 不需要有工作经验
5.    有Trench MOS或者IGBT相关开发工作经验者优先。
 
职责：
1.    负责Split Gate/Super Junction MOS和IGBT产品设计和工艺研发；
2.    负责与代工Fab工艺平台对接和技术沟通；
3.    负责新产品研发过程中相关的工程流片、数据分析和可靠性评估等工作。