研发工程师-功率MOSFET设计

25万-40万/年
南京
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5年以上
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硕士
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全职

职位诱惑: 五险一金,年终奖金,技术领先,成长空间大

发布时间: 2022-05-24发布

职位描述

1、参与项目的可行性分析，负责产品开发的方案的制定与修改，技术风险评估，流程（含技术文文件）管理，重要产品的客户技术沟通等；

2、负责公司新工艺平台规划与开发工作；

3、负责公司相关芯片的布局设计与开发工作；

4、新产品量产导入以及提升新产品良率；

5、相关专利文件撰写及申请。

任职资格：

1、硕士及以上学历，微电子/电子工程/电子科学等相关专业，英语良好；

2、熟悉半导体物理，半导体制程及电子电路相关知识；

3、具备实际操作半导体组件模似软件及布局软件经验；

4、10年以上功率MOSFET设计经验，且必须涵盖屏蔽栅/分立栅(SGT) MOSFET或是超结(Super Junction) MOSFET设计；

5、能提出实证说明所设计的产品具备国际竞争力；

6、具备主动积极，勇于接受挑战及了解问题所在并快速解决问题的态度与决心；

7、具有制程整合，产品工程，或是芯片厂技术开发相关经验者尤佳。