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矽卡拜半导体

功率器件研发工程师

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  • 20万-35万/年
  • 杭州
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  • 1-3年
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  • 本科
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  • 全职

职位诱惑: 五险一金,年底双薪,成长空间大,技能培训

发布时间: 2020-03-04发布

职位描述

工作职责
1.根据公司的新产品计划,负责SiC 二极管、MOSFET等产品的结构设计、工艺流程制定与分组实验设计,版图设计;
2.负责相关产品的设计文件、 工艺文件和封装测试文件的编写与制定;
3.产品开发和项目管理计划的制定与实施,对工艺过程及流片完成的测试数据进行整理、分析;
4.与市场、运营、质量等相关部门协作,对反馈的信息进行技术论证,提出改进方案,确保及时解决问题。
  
任职要求:
1.微电子、物理、材料等相关专业,具有扎实的半导体物理及器件基础,硕士/博士研究方向为SiC功率器件者优先,本科学历要求至少有3年功率器件设计工作经验;
2.掌握功率器件的基本工艺流程,掌握TCAD软件(TCAD simulation)、 Cadence版图软件(layout design);
3.熟悉功率半导体器件电气参数的测试原理、方法和设备,具有较强的数据整理、分析能力;
4.有较强的沟通能力、独立思考及团队协作能力,学习能力强,具有创新精神。

职位发布者

陈凯

HR

7天

简历处理用时

100%

简历及时处理率

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领域: 汽车电子,工业控制,能源控制

规模: 0-50人

主页: http://www.sicarbide.com

工作地址:

杭州

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