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英诺赛科(苏州)半导体有限公司

可靠性研发工程师

  • 18万-35万/年
  • 珠海
  • |
  • 3年以上
  • |
  • 硕士
  • |
  • 全职

职位诱惑: 技术领先,氮化镓,功率器件,年终奖金,年底双薪

发布时间: 2023-12-11发布

职位描述

Responsibility:
1.LV/HV GaN HEMT reliability DOE
2.Analysis of LV/HV products reliability failure mechanism
3.Robustness improvement of products
4.Lifetime evaluation of products 

Qualification:
1.PHD or master degree with 3 years experience
(公司实行宽带薪酬,按岗位和能力付薪,薪资弹性大,另珠海地区新引进博士可享受分两年领取合计25W安家费)

职位发布者

李小姐

HR

7天

简历处理用时

100%

简历及时处理率

英诺赛科(苏州)半导体有限公司

英诺赛科(苏州)半导体有限公司

领域: 通信网络,能源控制

规模: 100-200人

主页: http://www.innoscience.com.cn

工作地址:

珠海市香洲区国家高新区金鼎金园二路英诺赛科

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