成都蓉矽半导体有限公司——成都首家以第三代宽禁带半导体碳化硅（Silicon Carbide）器件设计为核心的国际化团队，于 2019年 12 月注册成立，注册资本额美金 20.46 万元。核心团队主要由欧洲器件设计与工艺专家和日本器件质量与可靠性专家组成，通过整合欧洲丰富、先进的碳化硅产品开发经验与台湾晶圆制造与工程管理能力并结合大陆封测、应用方案，从而开发出符合市场应用及贴近客户需求的产品，力争实现进口替代的目标。
目前产品主要包括碳化硅单管与模组系列及硅基的MCR（MOS-Controlled Rectifiers)系列，MCR系列具有低导通压降、高击穿电压、高工作结温、高浪涌及高可靠性的特点，产品应用在逆变电路、整流电路、发电机、DC-DC 转变器及 AC-DC 电源适配器等领域。 碳化硅作为第三代半导体 ，目前广泛应用于微电子以及光电子领域，具体可以细分为电力电子器件、微波射频等领域，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。其中碳化硅二极管作为第三代半导体材料在大功率开关电源的PFC级是必不可少的，凭借碳化硅二极管的高频性能，无反向恢复的特性，可以减小开关损耗，提高适配器的转换效率。 而蓉矽半导体早在2020年5月开始，仅用短短4个月的时间便完成全部设计并于9月进行1200V/20A碳化硅二极管第一次工程批设计流片投片成功，且综合良率高达96.88%。本轮融资后已完成第二次流片，综合性能得到进一步提升，本次流片中的最优设计可跻身国内前列，即将投入量产。不仅如此，由蓉矽半导体独立设计开发并拥有自主知识产权MCR 系列产品也上市在即，该产品具有低导通压降、高击穿电压、高工作结温、高浪涌及高可靠性的特点，产品应用在逆变电路、整流电路、发电机、DC-DC 转变器及 AC-DC 电源适配器等领域。
2021年1月，成都蓉矽半导体有限公司已完成800万元人民币的天使轮融资，融资完成后已经开展了1200V/80mΩ碳化硅MOSFET的工程批投片，本次设计投片的MOSFET将达到和Cree同等水平的性能和可靠性，力争填补国内高品质功率碳化硅MOSFET的空白。而1200V不同电流等级的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET和1700V耐压等级的碳化硅功率器件将在后续展开研发。 未来，公司将继续加大研发投入，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体模块需求。