（功率半导体）器件设计工程师

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33万-65万/年
成都
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工作经验不限
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硕士
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全职

职位诱惑: 年终奖金,五险一金,老板nice,年底双薪,股票期权,天天下午茶,技术领先,成长空间大

发布时间: 2021-10-29发布

职位描述

岗位职责：
1、根据公司产品开发流程完成产品开发，如：Si基功率二极管，mosfet，IGBT或SiC MOSFET设计、版图设计并优化工艺流程；
2、与FAE和市场人员一起按照项目计划启动项目产品开发；
3、配合完成芯片测试并分析测试结果形成报告；
4、完成产品可靠性考核并形成报告。

任职要求：
1、硕士及以上学历，微电子、电力电子、集成电路等相关专业并具备有Si基功率二极管，mosfet，IGBT或SiC器件的设计经验；
2、具备半导体物理、半导体器件物理及可靠性相关知识；
3、熟悉Silvaco仿真软件；
4、熟悉L-Edit版图软件。